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Fairchild/ON Semiconductor FQP2N90
| Artikelnummer: | FQP2N90 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Fairchild/ON Semiconductor FQP2N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP2N90.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V Verlustleistung (max) 85W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Tc) FQP2N90 Einzelheiten PDF [English] FQP2N90 PDF - EN.pdf -
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